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行業新聞News
Vishay推出3顆快恢復二極管N溝道功率MOSFET
2018.04.01

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發布3顆新的600V EF系列快恢復二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EFSiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件具有低反向恢復電荷和導通電阻,在工業、電信、計算和可再生能源應用中可提高可靠性,并且節能。


近日推出的這些600V快恢復二極管MOSFET采用第二代超級結技術制造,充實了Vishay現有的標準E系列器件,使公司有更多的器件可用于類似移相全橋和LLC半橋的零電壓開關(ZVA)/軟開關拓撲。


在這些應用里,SiHx21N60EF、SiHx47N60EFSiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優勢,提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿,有助于避免直通擊穿和熱擊穿。


21A SiHx21N60EF有四種封裝,47A SiHx47N60EF70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器和半導體生產設備中的高功率、高頻開關應用里,可實現極低的導通和開關損耗。

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